сегодня в 12:07
Не прошло и недели с анонса новой флэш-памяти Samsung 3D Vertical NAND с вертикальной архитектурой, как компания представила первый твердотельный накопитель для корпоративных систем хранения данных, построенный на базе тех самых объемных чипов NAND. Это произошло в рамках конференции Flash Memory Summit 2013.
Новинка обладает интерфейсом SATA III 6 Гбит/с и предназначена для использования в серверах и вычислительных центрах. Полный ассортимент состоит из двух версий твердотельного накопителя объёмом 480 и 960 ГБ. В старшей модели используются 64 слоя ячеек памяти MLC 3D V-NAND ёмкостью по 128 Гбит каждый.
Анонсированные SSD потребляют на 40% меньше энергии, чем их предшественники. Помимо этого, инженерам Samsung удалось увеличить скорость последовательной и произвольной записи информации на 20%. Заявленный ресурс работы накопителей — 35.000 циклов перезаписи что в 3-6 раз больше показателей 19-нм флэш-памяти MLC NAND, используемой в потребительских SSD. Новинка выполнена в 2,5-дюймовом форм-факторе, ее размеры составляют 100 x 70 x 7 мм.
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.
This entry passed through the Full-Text RSS service — if this is your content and you're reading it on someone else's site, please read the FAQ at fivefilters.org/content-only/faq.php#publishers. Five Filters recommends: 'You Say What You Like, Because They Like What You Say' - http://www.medialens.org/index.php/alerts/alert-archive/alerts-2013/731-you-say-what-you-like-because-they-like-what-you-say.html
Комментариев нет:
Отправить комментарий