сегодня в 13:38
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в своей объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.
Это уже второе поколение флеш-памяти 3D V-NAND от Samsung. Серийный выпуск чипов первого поколения начался в августе прошлого года, и они состояли из 24-х слоев ячеек памяти. Несмотря на то, что увеличение числа слоев требует более высокого уровня технологии проектирования, оно обеспечивает существенное повышение эффективности производства, поскольку Samsung может использовать практически то же самое оборудование, которое было задействовано при производстве памяти 3D V-NAND первого поколения.
Помимо этого, Samsung объявила о запуске новой линейки твердотельных накопителей премиум-класса объемом 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ и 1 ТБ, на базе новой флэш-памяти. В отличие от твердотельных накопителей, основанных на флэш-памяти 3D V-NAND первого поколения, которые предназначались для центров обработки данных, новые SSD от Samsung призваны охватить также и верхний сегмент ПК. Новые SSD примерно в два раза превосходят по ресурсу записи и потребляют на 20% меньше энергии, чем диски на основе планарной флэш-памяти MLC NAND. Надёжность хранения данных в объемных чипах по сравнению с обычной двухмерной флэш-памятью возрастает в 2-10 раз.
Позже в этом году Samsung представит новые модели SSD на базе флэш-памяти 3D V-NAND второго поколения с еще более высокими показателями объема и надежности.
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии.
Войдите, пожалуйста.
This entry passed through the Full-Text RSS service — if this is your content and you're reading it on someone else's site, please read the FAQ at http://ift.tt/jcXqJW.
Комментариев нет:
Отправить комментарий