Samsung Electronics начинает серийное производство первой в отрасли 8-гигабитной DDR4 на основе 20-нм техпроцесса

вчера в 14:30

Доброй пятницы, Хабр!

Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовой 8-гигабитной памяти DDR4, а также соответствующих модулей емкостью 32 ГБ на основе 20-нм техпроцесса для мощных серверных систем и центров обработки данных.

Благодаря разработке новой 8-гигабитной DDR4 Samsung теперь сможет предложить полноценную линейку оперативной памяти, произведенной по 20-нм техпроцессу, включая 4-гигабитные модули DDR3 для ПК и 6-гигабитные LPDDR3 для мобильных устройств.

В начале месяца новый 8-гигабитный чип DDR4 уже нашел применение в модуле объёмом 32 ГБ. Скорость передачи данных на контакт у него достигает 2400 Мбит/с, что на 29% производительнее серверных модулей памяти DDR3 (1866 Мбит/с). 8-гигабитный чип DDR4 позволит создавать модули с максимальной емкостью до 128 ГБ благодаря технологии 3D TSV (Through Silicon Via).

Новая память DDR4 с высокой плотностью записи данных также поддерживает улучшенные функции коррекции ошибок, что повысит ее надежность в процессе сборки корпоративных серверов. Кроме того, в новых чипах и модулях DDR4 показатель рабочего напряжения составляет 1,2 вольта, что на сегодняшний день является наименее возможным значением.

—

5018

5

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Войдите, пожалуйста.

This entry passed through the Full-Text RSS service - if this is your content and you're reading it on someone else's site, please read the FAQ at http://ift.tt/jcXqJW.